黑硅光電探測器詳細介紹
ElFys 提供一系列高性能黑硅光電二極管。該光電探測器是通過采用表面納米結構技術與原子層沉積涂層相結合，大大提高了光收集效率。
在 200 nm 至 950 nm 范圍內具有近乎完美的光響應，外量子效率≥ 96%（通過德國國家計量研究院PTB 認證）。
此光電探測器在紫外波段也同樣具有極高的量子效率，比普通的硅光電二極管高出兩倍以上。
黑硅表面與定制的原子層沉積涂層相結合，極大地提高了感應角度范圍內的表面吸收率，具有極高吸光度的超寬感應角度（> 95% @ 60°）
ElFys 提供SM和PD兩大系列的標準產品，也可以針對不同應用需求進行定制?？梢造`活地提供光電二極管芯片和完全封裝的光電探測器解決方案。
SM系列
主要特點：
· 在多波長下具有出色的光敏性：綠色、紅色和 NIR
· 低暗電流
· 緊湊型 SMD 封裝
典型應用：
· 健康監測
· 可穿戴電子產品
PD系列
主要特點：
· 增強的廣譜光敏性：UV、Vis 和 NIR
· 優化的電氣特性
· TO-can 封裝最大程度保護環境
典型應用：
· 高精度測光
· 分析儀器
· X射線成像
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產品系列 |
型號 |
最大偏置電壓 |
感光面積 |
最大暗電流@ -10 mV |
節電容@0V,100kHz |
響應率@λp |
默認封裝 * |
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[V] |
[mm2] |
[pA] |
[pF] |
[A/W] |
λp (nm) |
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SM |
SM322 |
6 |
3.22 |
40 |
60 |
0.71 |
970 |
SMD |
|
SM446 |
6 |
4.46 |
50 |
80 |
0.71 |
970 |
SMD |
|
|
PD |
PD1sM |
10 |
1 |
12 |
20 |
0.80 |
1010 |
TO-46 |
|
PD1sH |
1 |
255 |
11 |
0.81 |
1040 |
TO-46 |
||
|
PD4sM |
20 |
4 |
15 |
65 |
0.80 |
1010 |
TO-46 |
|
|
PD25sM |
25 |
30 |
370 |
0.80 |
1010 |
TO-8 |
||
|
PD25sH |
25 |
700 |
110 |
0.81 |
1040 |
TO-8 |
||
|
PD100sM |
100 |
60 |
1200 |
0.80 |
1010 |
PCB |
||
|
PD100sH |
100 |
1500 |
340 |
0.81 |
1040 |
PCB |
||
|
PD5sMG |
100 |
5 |
15 |
105 |
0.80 |
1010 |
PCB |
|
|
PD5sHG |
5 |
400 |
30 |
0.81 |
1040 |
PCB |
||
|
PD25sMG |
25 |
30 |
370 |
0.80 |
1010 |
PCB |
||
|
PD25sHG |
25 |
700 |
110 |
0.81 |
1040 |
PCB |
||
|
PD100sMG |
100 |
60 |
1200 |
0.80 |
1010 |
PCB |
||
|
PD100sHG |
100 |
1500 |
340 |
0.81 |
1040 |
PCB |
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* 可根據客戶要求為所有產品提供定制封裝。
ElFys, Inc. 成立于 2017 年秋季，旨在將一組大學研究人員開創的光電探測器技術創新商業化。公司利用了芬蘭埃斯波Micronova 納米制造中心先進的加工設施。該設施包含了2600 平方米 的兼容CMOS技術的設施，適用于研發和半批量生產。
EIFys Inc. 由阿爾托大學的一個研究團隊組成，是早期把太陽能電池新的研究結結合到光探測技術的公司，由此成功的把黑硅技術應用到光感應技術中。該技術使得光學探測器的性能大幅提升，可以捕到獲每一束光。
公司的合作伙伴在硅光伏和相關研究方面也擁有豐富的專業知識。太陽能電池和光電二極管的結構和工作原理非常相似，因此太陽能電池的創新通?？梢詰糜诠怆姸O管，反之亦然。表面鈍化和缺陷工程等主題是制造過程的組成部分，正是這些制造過程，幫助我們實現了光電二極管的卓越響應。
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